casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFI630GPBF
Número de pieza del fabricante | IRFI630GPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFI630GPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFI630GPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI630GPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFI630GPBF-FT |
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TK20S06K3L(T6L1,NQ
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TK2P60D(TE16L1,NQ)
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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