casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7308DN-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7308DN-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI7308DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7308DN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 5.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 665pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7308DN-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7308DN-T1-GE3-FT |
IRFUC20
Vishay Siliconix
IRLU120PBF
Vishay Siliconix
IRLU3714TR
Vishay Siliconix
SIHU6N62E-GE3
Vishay Siliconix
SIHU7N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHU7N60E-GE3
Vishay Siliconix
SQS401EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIS410DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7119DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS476DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel