casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHU7N60E-E3
Número de pieza del fabricante | SIHU7N60E-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SIHU7N60E-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHU7N60E-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 680pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 78W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-251 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHU7N60E-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIHU7N60E-E3-FT |
IRL640STRL
Vishay Siliconix
IRL640STRR
Vishay Siliconix
IRLZ14S
Vishay Siliconix
IRLZ14STRL
Vishay Siliconix
IRLZ14STRR
Vishay Siliconix
IRLZ24S
Vishay Siliconix
IRLZ24STRL
Vishay Siliconix
IRLZ24STRR
Vishay Siliconix
IRLZ34S
Vishay Siliconix
IRLZ34STRL
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel