casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIS410DN-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIS410DN-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIS410DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIS410DN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1600pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS410DN-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIS410DN-T1-GE3-FT |
IRLZ14STRL
Vishay Siliconix
IRLZ14STRR
Vishay Siliconix
IRLZ24S
Vishay Siliconix
IRLZ24STRL
Vishay Siliconix
IRLZ24STRR
Vishay Siliconix
IRLZ34S
Vishay Siliconix
IRLZ34STRL
Vishay Siliconix
IRLZ34STRR
Vishay Siliconix
IRLZ44S
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IRLZ44STRL
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LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
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