casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLU120PBF
Número de pieza del fabricante | IRLU120PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRLU120PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLU120PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 4.6A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 490pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-251AA |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLU120PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLU120PBF-FT |
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Microsemi Corporation
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LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
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