casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFUC20
Número de pieza del fabricante | IRFUC20 |
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Número de parte futuro | FT-IRFUC20 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFUC20 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-251AA |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFUC20 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFUC20-FT |
IRL630S
Vishay Siliconix
IRL630STRL
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XC7S100-2FGGA484I
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A3P1000-FGG256
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5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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5CGXFC9A6U19A7N
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