casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD
Número de pieza del fabricante | SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD |
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Número de parte futuro | FT-SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EM-20 |
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (MLC) |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | eMMC |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 153-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 153-LFBGA (11.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD-FT |
W632GU6MB-11
Winbond Electronics
W632GU6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GU6MB-15
Winbond Electronics
W632GU6MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GU6MB11I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel