casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD
Número de pieza del fabricante | SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD |
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Número de parte futuro | FT-SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EM-20 |
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (MLC) |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | eMMC |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 153-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 153-LFBGA (11.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD-FT |
W632GU6MB-11
Winbond Electronics
W632GU6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GU6MB-15
Winbond Electronics
W632GU6MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GU6MB11I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel