casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GU6MB-11
Número de pieza del fabricante | W632GU6MB-11 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-W632GU6MB-11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GU6MB-11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-VFBGA (7.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU6MB-11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GU6MB-11-FT |
AT25DF641-S3H-T
Adesto Technologies
LE24L042CS-LV-TFM-E
ON Semiconductor
W9751G6KB-25
Winbond Electronics
W9725G6KB-25
Winbond Electronics
W9725G6KB-25 TR
Winbond Electronics
W9751G6KB25I
Winbond Electronics
W971GG6SB-25
Winbond Electronics
W971GG6SB25I
Winbond Electronics
W972GG6KB-25
Winbond Electronics
W971GG6SB-18
Winbond Electronics
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel