casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W971GG6SB-18
Número de pieza del fabricante | W971GG6SB-18 |
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Número de parte futuro | FT-W971GG6SB-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W971GG6SB-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 350ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-WBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W971GG6SB-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W971GG6SB-18-FT |
AT25DF021A-MHNHR-T
Adesto Technologies
AT25DF041B-MHN-T
Adesto Technologies
AT25DF041B-MHN-Y
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AT25DF041B-MHNHR-T
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AT25DL081-MHN-T
Adesto Technologies
AT25DL161-MHN-T
Adesto Technologies
AT25PE16-MHF-T
Adesto Technologies
AT25PE20-MHN-T
Adesto Technologies
AT25PE40-MHN-T
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AT25PE80-MHN-T
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LFXP3C-3T144I
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XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel