casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GU6MB15I TR
Número de pieza del fabricante | W632GU6MB15I TR |
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Número de parte futuro | FT-W632GU6MB15I TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GU6MB15I TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 667MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-VFBGA (7.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU6MB15I TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GU6MB15I TR-FT |
W972GG6KB-25
Winbond Electronics
W971GG6SB-18
Winbond Electronics
W9712G6KB-25
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W9712G6KB-25 TR
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W9712G6KB25I
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W9712G6KB25I TR
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W971GG6KB-18
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W971GG6KB-18 TR
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W971GG6KB-25
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W971GG6KB-25 TR
Winbond Electronics
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
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EP3SL110F1152C4LN
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XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
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EP1C12F324C6
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EP1SGX40GF1020C6
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