casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GU6MB15I
Número de pieza del fabricante | W632GU6MB15I |
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Número de parte futuro | FT-W632GU6MB15I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GU6MB15I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 667MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-VFBGA (7.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU6MB15I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GU6MB15I-FT |
W971GG6SB25I
Winbond Electronics
W972GG6KB-25
Winbond Electronics
W971GG6SB-18
Winbond Electronics
W9712G6KB-25
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W9712G6KB-25 TR
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W9712G6KB25I
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W9712G6KB25I TR
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LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
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XC2V1000-4BGG575C
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XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel