casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GU6MB-12 TR
Número de pieza del fabricante | W632GU6MB-12 TR |
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Número de parte futuro | FT-W632GU6MB-12 TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GU6MB-12 TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-VFBGA (7.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU6MB-12 TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GU6MB-12 TR-FT |
LE24L042CS-LV-TFM-E
ON Semiconductor
W9751G6KB-25
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W9725G6KB-25
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W9725G6KB-25 TR
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W9751G6KB25I
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W9712G6KB-25
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LCMXO2280E-3TN144C
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A54SX32A-2TQG144I
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5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
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LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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