casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GU6MB-12 TR
Número de pieza del fabricante | W632GU6MB-12 TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-W632GU6MB-12 TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GU6MB-12 TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-VFBGA (7.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU6MB-12 TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GU6MB-12 TR-FT |
LE24L042CS-LV-TFM-E
ON Semiconductor
W9751G6KB-25
Winbond Electronics
W9725G6KB-25
Winbond Electronics
W9725G6KB-25 TR
Winbond Electronics
W9751G6KB25I
Winbond Electronics
W971GG6SB-25
Winbond Electronics
W971GG6SB25I
Winbond Electronics
W972GG6KB-25
Winbond Electronics
W971GG6SB-18
Winbond Electronics
W9712G6KB-25
Winbond Electronics
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel