casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP40N10YDF-E1-AY
Número de pieza del fabricante | NP40N10YDF-E1-AY |
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Número de parte futuro | FT-NP40N10YDF-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP40N10YDF-E1-AY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta), 120W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSON |
Paquete / Caja | 8-PowerLDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP40N10YDF-E1-AY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP40N10YDF-E1-AY-FT |
JANTXV2N6766T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6768
Microsemi Corporation
JANTXV2N6768T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6770
Microsemi Corporation
JANTXV2N6770T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6782
Microsemi Corporation
JANTXV2N6782U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6784
Microsemi Corporation
JANTXV2N6784U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6788
Microsemi Corporation
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
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5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation