casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6788
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N6788 |
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Número de parte futuro | FT-JANTXV2N6788 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/555 |
JANTXV2N6788 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-205AF (TO-39) |
Paquete / Caja | TO-205AF Metal Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6788 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N6788-FT |
JAN2N6768
Microsemi Corporation
JAN2N6768T1
Microsemi Corporation
JAN2N6770
Microsemi Corporation
JAN2N6770T1
Microsemi Corporation
JAN2N6782
Microsemi Corporation
JAN2N6782U
Microsemi Corporation
JAN2N6784
Microsemi Corporation
JAN2N6784U
Microsemi Corporation
JAN2N6788
Microsemi Corporation
JAN2N6788U
Microsemi Corporation
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel