casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JAN2N6770T1
Número de pieza del fabricante | JAN2N6770T1 |
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Número de parte futuro | FT-JAN2N6770T1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JAN2N6770T1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-254AA |
Paquete / Caja | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6770T1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN2N6770T1-FT |
IXFV30N50PS
IXYS
IXFV30N60PS
IXYS
IXFV36N50P
IXYS
IXFV36N50PS
IXYS
IXFV52N30PS
IXYS
IXFV74N20P
IXYS
IXFV74N20PS
IXYS
IXFV96N15P
IXYS
IXFV96N15PS
IXYS
IXFV96N20P
IXYS
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel