casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6784
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N6784 |
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Número de parte futuro | FT-JANTXV2N6784 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/556 |
JANTXV2N6784 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.25A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 2.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Ta), 15W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-205AF (TO-39) |
Paquete / Caja | TO-205AF Metal Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6784 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N6784-FT |
JAN2N6766
Microsemi Corporation
JAN2N6766T1
Microsemi Corporation
JAN2N6768
Microsemi Corporation
JAN2N6768T1
Microsemi Corporation
JAN2N6770
Microsemi Corporation
JAN2N6770T1
Microsemi Corporation
JAN2N6782
Microsemi Corporation
JAN2N6782U
Microsemi Corporation
JAN2N6784
Microsemi Corporation
JAN2N6784U
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel