casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6784
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N6784 |
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Número de parte futuro | FT-JANTXV2N6784 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/556 |
JANTXV2N6784 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.25A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 2.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Ta), 15W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-205AF (TO-39) |
Paquete / Caja | TO-205AF Metal Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6784 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N6784-FT |
JAN2N6766
Microsemi Corporation
JAN2N6766T1
Microsemi Corporation
JAN2N6768
Microsemi Corporation
JAN2N6768T1
Microsemi Corporation
JAN2N6770
Microsemi Corporation
JAN2N6770T1
Microsemi Corporation
JAN2N6782
Microsemi Corporation
JAN2N6782U
Microsemi Corporation
JAN2N6784
Microsemi Corporation
JAN2N6784U
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4T100I
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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