casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6782U
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N6782U |
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Número de parte futuro | FT-JANTXV2N6782U |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/556 |
JANTXV2N6782U Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 610 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Ta), 15W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Paquete / Caja | 18-CLCC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6782U Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N6782U-FT |
JAN2N6764T1
Microsemi Corporation
JAN2N6766
Microsemi Corporation
JAN2N6766T1
Microsemi Corporation
JAN2N6768
Microsemi Corporation
JAN2N6768T1
Microsemi Corporation
JAN2N6770
Microsemi Corporation
JAN2N6770T1
Microsemi Corporation
JAN2N6782
Microsemi Corporation
JAN2N6782U
Microsemi Corporation
JAN2N6784
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel