casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6768
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N6768 |
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Número de parte futuro | FT-JANTXV2N6768 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JANTXV2N6768 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-204AE (TO-3) |
Paquete / Caja | TO-204AE |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6768 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N6768-FT |
JAN2N6756
Microsemi Corporation
JAN2N6758
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JAN2N6760
Microsemi Corporation
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