casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT58K256M321JA-100:A
Número de pieza del fabricante | MT58K256M321JA-100:A |
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Número de parte futuro | FT-MT58K256M321JA-100:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT58K256M321JA-100:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SGRAM - GDDR5 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 5GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.31V ~ 1.39V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 190-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 190-FBGA (10x14) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT58K256M321JA-100:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT58K256M321JA-100:A-FT |
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation