casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT58K256M321JA-100:A
Número de pieza del fabricante | MT58K256M321JA-100:A |
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Número de parte futuro | FT-MT58K256M321JA-100:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT58K256M321JA-100:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SGRAM - GDDR5 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 5GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.31V ~ 1.39V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 190-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 190-FBGA (10x14) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT58K256M321JA-100:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT58K256M321JA-100:A-FT |
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel