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Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

Name: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Availability: InStock
Rating: 4.9 (29 reviews)

Número de pieza de MFG: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

Cantidad disponible: 85480 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Micron Technology Inc.

Breve descripción: - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E.pdf

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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Presupuesto

Número de pieza del fabricante	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Número de parte futuro	FT-MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - Mobile LPDDR4
Tamaño de la memoria	32Gb (512M x 64)
Frecuencia de reloj	2133MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	-
Suministro de voltaje	1.1V
Temperatura de funcionamiento	-30°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje	-
Paquete / Caja	-
Paquete del dispositivo del proveedor	-
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E-FT

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