casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D
Número de pieza del fabricante | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D-FT |
MT53D4DAKA-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DAKA-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DANW-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DANW-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DANY-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DANY-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DARN-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DARN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DASB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DASB-DC TR
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel