casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Número de pieza del fabricante | MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR-FT |
MT53D4DANY-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DANY-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DARN-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DARN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DASB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DASB-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DAWT-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBBD-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBBP-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBBP-DC TR
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FG676I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1927I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.