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MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E Image

Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E

Número de pieza de MFG
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Cantidad disponible
86880 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
- IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Número de parte futuro FT-MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - Mobile LPDDR4
Tamaño de la memoria 32Gb (512M x 64)
Frecuencia de reloj 2133MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria -
Suministro de voltaje 1.1V
Temperatura de funcionamiento -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje -
Paquete / Caja -
Paquete del dispositivo del proveedor -
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E-FT

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