casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR
Número de pieza del fabricante | MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 48Gb (768M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR-FT |
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT:E
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel