casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M32D2NP-046 AUT:D
Número de pieza del fabricante | MT53D512M32D2NP-046 AUT:D |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53D512M32D2NP-046 AUT:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M32D2NP-046 AUT:D-FT |
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT:C
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel