casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR
Número de pieza del fabricante | MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR-FT |
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel