casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
Número de pieza del fabricante | MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR-FT |
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR
Micron Technology Inc.
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel