casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M32D2NP-046 WT:E
Número de pieza del fabricante | MT53D512M32D2NP-046 WT:E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53D512M32D2NP-046 WT:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2NP-046 WT:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-046 WT:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M32D2NP-046 WT:E-FT |
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT:E
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel