casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR
Número de pieza del fabricante | MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 178-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 178-FBGA (11.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR-FT |
MT25QU256ABA1EW9-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU512ABB1EW9-0SIT
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF440F TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel