casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR
Número de pieza del fabricante | MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (4G x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-U-PDFN (8x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR-FT |
M29W160ET7AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160ET90ZA6T TR
Micron Technology Inc.
M29W320DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation