casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W320EB70ZE6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W320EB70ZE6F TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M29W320EB70ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W320EB70ZE6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W320EB70ZE6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W320EB70ZE6F TR-FT |
M29W640GL70NB6E
Micron Technology Inc.
M29W640GL70NB6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70NB6E
Micron Technology Inc.
M30LW128D110N6
STMicroelectronics
M58LW032D110N6
STMicroelectronics
M58LW064D110N6
STMicroelectronics
MT28F128J3RG-12 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RG-12 MET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RG-12 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 ET
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel