casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58LW064D110N6
Número de pieza del fabricante | M58LW064D110N6 |
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Número de parte futuro | FT-M58LW064D110N6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58LW064D110N6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 110ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58LW064D110N6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58LW064D110N6-FT |
JS28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
JS28F128J3D75A
Micron Technology Inc.
JS28F128J3D75B TR
Micron Technology Inc.
JS28F128J3F75A
Micron Technology Inc.
JS28F128M29EWHF
Micron Technology Inc.
JS28F128M29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F128P30B85A
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel