casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58LW064D110N6
Número de pieza del fabricante | M58LW064D110N6 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M58LW064D110N6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58LW064D110N6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 110ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58LW064D110N6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58LW064D110N6-FT |
JS28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
JS28F128J3D75A
Micron Technology Inc.
JS28F128J3D75B TR
Micron Technology Inc.
JS28F128J3F75A
Micron Technology Inc.
JS28F128M29EWHF
Micron Technology Inc.
JS28F128M29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F128P30B85A
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel