casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M30LW128D110N6
Número de pieza del fabricante | M30LW128D110N6 |
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Número de parte futuro | FT-M30LW128D110N6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M30LW128D110N6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 110ns |
Tiempo de acceso | 110ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M30LW128D110N6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M30LW128D110N6-FT |
JS28F00AP33TF
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33TFA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
JS28F128J3D75A
Micron Technology Inc.
JS28F128J3D75B TR
Micron Technology Inc.
JS28F128J3F75A
Micron Technology Inc.
JS28F128M29EWHF
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel