casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G01ABBGDWB-IT:G
Número de pieza del fabricante | MT29F2G01ABBGDWB-IT:G |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G01ABBGDWB-IT:G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (2G x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-U-PDFN (8x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G01ABBGDWB-IT:G-FT |
M29W160ET70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W160ET70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160ET7AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160ET90ZA6T TR
Micron Technology Inc.
M29W320DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel