casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (2G x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-U-PDFN (8x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR-FT |
M29W160EB80ZA3SE TR
Micron Technology Inc.
M29W160ET70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W160ET70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160ET7AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160ET90ZA6T TR
Micron Technology Inc.
M29W320DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6E
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel