casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (2G x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-U-PDFN (8x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR-FT |
M29W160ET70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160ET7AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160ET90ZA6T TR
Micron Technology Inc.
M29W320DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZE6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel