casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT48H16M32L2B5-8
Número de pieza del fabricante | MT48H16M32L2B5-8 |
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Número de parte futuro | FT-MT48H16M32L2B5-8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT48H16M32L2B5-8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPSDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frecuencia de reloj | 125MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 7.5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT48H16M32L2B5-8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT48H16M32L2B5-8-FT |
MT47H64M8CF-25E:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8JN-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M8JN-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47R128M8CF-25:H
Micron Technology Inc.
MT47R128M8CF-3:H
Micron Technology Inc.
MT47R256M4CF-25E:H
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel