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MT47R256M4CF-25E:H Image

Micron Technology Inc. MT47R256M4CF-25E:H

Número de pieza de MFG
MT47R256M4CF-25E:H
Cantidad disponible
20140 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
- IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante MT47R256M4CF-25E:H
Número de parte futuro FT-MT47R256M4CF-25E:H
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MT47R256M4CF-25E:H Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria 1Gb (256M x 4)
Frecuencia de reloj 400MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns
Tiempo de acceso 400ps
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.55V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 60-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 60-FBGA (8x10)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47R256M4CF-25E:H Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto MT47R256M4CF-25E:H-FT

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