casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H64M8SH-25E AIT:H
Número de pieza del fabricante | MT47H64M8SH-25E AIT:H |
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Número de parte futuro | FT-MT47H64M8SH-25E AIT:H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M8SH-25E AIT:H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (10x18) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8SH-25E AIT:H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H64M8SH-25E AIT:H-FT |
MT47H128M16RT-25E AAT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16PK-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E XIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HR-187E:G
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel