casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H64M8JN-25E IT:G
Número de pieza del fabricante | MT47H64M8JN-25E IT:G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT47H64M8JN-25E IT:G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M8JN-25E IT:G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8JN-25E IT:G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H64M8JN-25E IT:G-FT |
IS43DR16640B-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MT47H128M16RT-25E AAT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR
Micron Technology Inc.
AT40K20AL-1BQU
Microchip Technology
A54SX16P-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
10CL010YE144C8G
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19C7N
Intel