casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT41K512M8RH-125 IT:E
Número de pieza del fabricante | MT41K512M8RH-125 IT:E |
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Número de parte futuro | FT-MT41K512M8RH-125 IT:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8RH-125 IT:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 13.75ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-125 IT:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT41K512M8RH-125 IT:E-FT |
M29W640FT70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6EP
Micron Technology Inc.
M29W640GH70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GL70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZA6EP
Micron Technology Inc.
M29W800DB45ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DT45ZE6E
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel