casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT41K512M8RH-125 IT:E
Número de pieza del fabricante | MT41K512M8RH-125 IT:E |
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Número de parte futuro | FT-MT41K512M8RH-125 IT:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K512M8RH-125 IT:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 13.75ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-125 IT:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT41K512M8RH-125 IT:E-FT |
M29W640FT70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640FT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA6EP
Micron Technology Inc.
M29W640GH70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GL70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZA6EP
Micron Technology Inc.
M29W800DB45ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DT45ZE6E
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation