casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GB70ZA6E
Número de pieza del fabricante | M29W640GB70ZA6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W640GB70ZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GB70ZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GB70ZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GB70ZA6E-FT |
MT28F320J3RG-11 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 GMET
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel