casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GB70ZA6EP
Número de pieza del fabricante | M29W640GB70ZA6EP |
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Número de parte futuro | FT-M29W640GB70ZA6EP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GB70ZA6EP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GB70ZA6EP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GB70ZA6EP-FT |
MT28F320J3RG-11 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 GMET TR
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel