casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W800DB45ZE6E
Número de pieza del fabricante | M29W800DB45ZE6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W800DB45ZE6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W800DB45ZE6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800DB45ZE6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W800DB45ZE6E-FT |
MT28F320J3RP-11 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 MET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 XMET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 XMET TR
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel