casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W800DB70ZE6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W800DB70ZE6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W800DB70ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W800DB70ZE6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800DB70ZE6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W800DB70ZE6F TR-FT |
MT28F320J3RP-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 MET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 XMET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 XMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RP-115 ET
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation