casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W800DB70ZE6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W800DB70ZE6F TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M29W800DB70ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W800DB70ZE6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800DB70ZE6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W800DB70ZE6F TR-FT |
MT28F320J3RP-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RP-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 MET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 XMET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RG-115 XMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3RP-115 ET
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel