casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M48Z35Y-70MH6E
Número de pieza del fabricante | M48Z35Y-70MH6E |
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Número de parte futuro | FT-M48Z35Y-70MH6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M48Z35Y-70MH6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-SOH |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z35Y-70MH6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M48Z35Y-70MH6E-FT |
W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel