casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TH58BVG2S3HTAI0
Número de pieza del fabricante | TH58BVG2S3HTAI0 |
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Número de parte futuro | FT-TH58BVG2S3HTAI0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TH58BVG2S3HTAI0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58BVG2S3HTAI0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TH58BVG2S3HTAI0-FT |
W9712G6KB25I
Winbond Electronics
W9712G6KB25I TR
Winbond Electronics
W971GG6KB-18
Winbond Electronics
W971GG6KB-18 TR
Winbond Electronics
W971GG6KB-25
Winbond Electronics
W971GG6KB-25 TR
Winbond Electronics
W971GG6KB25I
Winbond Electronics
W971GG6KB25I TR
Winbond Electronics
W971GG6SB-18 TR
Winbond Electronics
W971GG6SB-25 TR
Winbond Electronics
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel