casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W800FB70ZA3SE
Número de pieza del fabricante | M29W800FB70ZA3SE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M29W800FB70ZA3SE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W800FB70ZA3SE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800FB70ZA3SE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W800FB70ZA3SE-FT |
M29W128GL90N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GSH70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GSL70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160EB70ZA6
STMicroelectronics
M29W160EB70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160EB7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W160EB7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160EB7AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160EB80ZA3SE
Micron Technology Inc.
M29W160ET70ZS6F TR
Micron Technology Inc.