casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W160ET70ZS6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W160ET70ZS6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W160ET70ZS6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W160ET70ZS6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (11x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W160ET70ZS6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W160ET70ZS6F TR-FT |
M29F400BB55M1
Micron Technology Inc.
M29F400BB55M6T TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB70M6E
Micron Technology Inc.
M29F400BB70M6T TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB90M1
Micron Technology Inc.
M29F400BT70M1
Micron Technology Inc.
M29F400BT70M6E
Micron Technology Inc.
M29F400FB55M32
Micron Technology Inc.
M29F400FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.