casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W160EB7AZA6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W160EB7AZA6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W160EB7AZA6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W160EB7AZA6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W160EB7AZA6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W160EB7AZA6F TR-FT |
M29F200FT5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F400BB55M1
Micron Technology Inc.
M29F400BB55M6T TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB70M6E
Micron Technology Inc.
M29F400BB70M6T TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB90M1
Micron Technology Inc.
M29F400BT70M1
Micron Technology Inc.
M29F400BT70M6E
Micron Technology Inc.
M29F400FB55M32
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel